반도체 MC33152DR2G MC 시리즈 1.5A20V100kOhm SMT 고속 듀얼 MOSFET 드라이버 SOIC-8-2500item(s)

제품 이름 : 라이오드 트랜지스터;Model No : 1 RF1010 E.드레인원 전압 : 60 V;배수 현재 : 80 A.장착 구멍 직경 : 3.5m m / 0.138";Pin 크기 : 14x1.5mm / 0.55"x0.059"

다섯번째 세대 HEXFETs 에서 국제 정류기용 고급 처리 기술 달성 매우 낮은 onresistance per silicon area.이 혜택과 함께 빠른 스위칭 속도와 내구성 장�

Mfr : 전자 르네사스 America Inc.시리즈*.Package : Bulk.부품 상태 : Active 241 : $1.25000 Specification : Mfr : 전자 르네사스는 미국 Inc Series : Package : Bulk Part 상

칩 게이트,2010 년에 설립,전문 구매 B2 B&B2 C 도구에서 전자부품 분야이다.우리가 200,000 라인에서 주식과 그들이 발송될 수 있습에서 1~3 일입니다

트랜지스터리 극성 : N 채널 배출 연속 현재 Id : 33 A 드레인원 전압 Vds : 150 V 에 저항 Rds(on) : 0.067 옴 Rds(on)시험전압 Vgs : 10 V 전압 임계값 Vgs : 4 V �

Mfr : onsemi.시리즈*.Package : Bulk.부품 상태 : Active 239 : $1.26000 Specification : Mfr : onsemi Series : Package : Bulk Part 상태 : Active Environmental&Export 분류 : Ro HS 상

그것은 널리 사용을 제어하는 시작과 정지의 모터,솔레노이드 밸브와 다른 지점 장비입니다.으로 옵토커플러 분리,제어신호에서 고립의 전력 �

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Mfr : 전자 르네사스 America Inc.Package : Bulk.부품 상태 : Active.사양 : Mfr : 전자 르네사스 America Inc 패키지로 대량의 부품 상태 : Active245 : 1.23000 환경 �

패키지 크기 : 0.42 L0.36x H x0.19 W(인치)입니다.포장 무게 : 0.04 파운드입니다.원산지 : United States.부품 번호 : IRFZ24 N.제품 유형은 주요 브랜드 IRFZ24

가격 : 팩 1 Order 단위 : 각각 1 연속 드레인 현재 Id : : 43 드레인원 전압 Vds : : 150 MSL : : No.핀 : : 3 에 저항 Rds(on) : : 0.042 운영 온도 최대 : : 175 Operat

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Mfr : 전자 르네사스 America Inc.시리즈*.Package : Bulk.부품 상태 : Active 628 : $0.48000 Specification : Mfr : 전자 르네사스는 미국 Inc Series : Package : Bulk Part 상

Mfr : 전자 르네사스 America Inc.시리즈*.Package : Bulk.부품 상태 : Active 359 : $0.84000 Specification : Mfr : 전자 르네사스는 미국 Inc Series : Package : Bulk Part 상

Industrial Field3000 개 AO3407 3407 SOT233 MOSFET A79 T 최대 점수 PCh30 V3.6 A64m Ohm 고 원래이다.발 국가 예상 배달 시간 : 717 일(trackable),다른 국가 예상 배달 �

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